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半导体分立器件产品应用特性发展
发布时间：2024-10-27
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)半导体功率器件为代表的第三代半导体是21世纪半导体产业的发展主流。相较于硅基半导体而言，宽禁带半导体器件的产品性能存在显著优势，“十四五”期间，国家及各省市的政策及规划均在强调半导体分立器件在第三代半导体领域的发展。
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发布时间：2024-10-27
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)半导体功率器件为代表的第三代半导体是21世纪半导体产业的发展主流。相较于硅基半导体而言，宽禁带半导体器件的产品性能存在显著优势，“十四五”期间，国家及各省市的政策及规划均在强调半导体分立器件在第三代半导体领域的发展。
2021-09-16
2021-09-16
2021-09-16
2021-09-16
2019-01-17
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2019-01-11
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