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    2024-2029年中国SiC、GaN电力电子和GaN微波射频器件产值预测

    发布时间：2024-10-28

    近五年，第三代半导体材料电力电子市场复合增长率约40%，GaN微波射频市场复合增长率约48%。由于近年来下游需求市场的飞速增长，加上新一代信息技术的应用升级，中国第三代半导体材料拥有广阔的市场前景。电力电子市场在新能源汽车、光伏、数据中心、快充等需求带动下将持续保持较高增速，微波射频市场将伴随5G宏基站建设而稳步增长。预计到2029年，中国SiC、GaN电力电子器件应用市场规模有望突破600亿元，年复合增长率为35%;GaN射频器应用市场规模或将突破250亿元，年复合增长率为20%;中国第三代半导体材料整体市场规模或达到855亿元，年均复合增长率约30%。

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    相关报告：《2024-2029年中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》

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