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  • 武汉市长江存储国家存储器基地技术研发与产品发展情况

    武汉市长江存储国家存储器基地技术研发与产品发展情况

    发布时间：2024-10-27

    目前，武汉市围绕长江存储发展国家存储器基地项目，是湖北省乃至我国集成电路产业发展的重中之重。2020年，长江存储国家存储器基地宣布成功研发128层闪存，进入国际领先水平，仅用3年实现了芯片从32层到128层的数个跨越。2022年7月，长江存储正式发布基于Xtacking3.0技术的第四代3D TLC闪存，堆叠层数已经处于国际第一梯队，达232层。

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    相关报告：《武汉市集成电路产业大数据招商指南 （两链两图两池两库两平台两清单两报告）》

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