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    功率半导体分立器件分类

    发布时间：2025-01-21

    功率半导体分立器件指额定电流不低于1A，或额定功率不低于1W的半导体分立器件。功率半导体分立器件可以进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三类，其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的范畴，SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的范围内。功率二极管具有结构和原理简单、工作可靠的优势;而功率晶闸管承受电压和电流容量在所有器件中最高;MOSFET的优势在于开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率小且驱动电路简单、工作频率高以及不存在二次击穿问题等方面;IGBT则具有开关速度高、开关耗小、具有耐脉冲电流冲击的能力、通态压降较低、输入阻抗高、为电压驱动以及驱动功率小等优点。

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