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    全球半导体分立器件制造行业发展历程

    发布时间：2024-10-27

    全球半导体分立器件诞生于上世纪中期。20世纪50年代，功率二极管、功率三极管的面世并应用于工业和电力系统;20世纪60-70年代，晶闸管等分立器件快速发展;20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来;20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，分立器件正式进入了电子应用时代;20世纪90年代，超结MOSFET逐步出现，打破传统“硅限”以满足大功率和高频化的应用需求;2008年，英飞凌(Infineon)率先推出屏蔽栅功率MOSFET，分立器件的性能得到进一步提升。

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    相关报告：《2024-2029年中国半导体分立器件制造行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》

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