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全球存储芯片主要企业NAND最新技术进展
发布时间：2024-10-28
与NAND闪存不同，因为DRAM比较难堆叠芯片层数，所以制造商大多只能以减少电路间距的方式，提高性能效率。拉近电路距离的好处包含提高信号处理速度、降低工作电压，以及增加每个硅片的DRAM产量。这也是各大制造商展开纳米竞争的缘由。
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发布时间：2024-10-28
与NAND闪存不同，因为DRAM比较难堆叠芯片层数，所以制造商大多只能以减少电路间距的方式，提高性能效率。拉近电路距离的好处包含提高信号处理速度、降低工作电压，以及增加每个硅片的DRAM产量。这也是各大制造商展开纳米竞争的缘由。
2023-09-01
2023-09-01
2023-09-01
2023-09-01
2023-09-01
2019-01-24
2019-01-24
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2019-01-24
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