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    普冉股份产品工艺制程布局历程

    发布时间：2024-10-27

    工艺制程方面，普冉股份自2016年成立以来，采用55nm的电荷俘获工艺进行NOR Flash存储器芯片的设计，相较于行业主流的浮栅65nm工艺制程，具备更优的功耗和芯片尺寸。公司目前正在积极推进40nm的NOR Flash产品研发，新一代NOR Flash产品具备更高的芯片集成度、更低的功耗水平。

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