搜索
发布时间：2024-10-27
从结构上来说，异质结一般以n型单晶硅片为衬底，在经过清洗制绒的n型CZc-Si正面依次沉积厚度为5-10nm的本征a-Si:H薄膜(i-a-Si:H)、p型a-Si:H薄膜(p-a-Si：H)，从而形成p-n异质结。在硅片背面依次沉积厚度为5-10nm的i-a-Si:H薄膜、n型a-Si:H薄膜(n-a-Si：H)形成背表面场。在掺杂a-Si:薄膜的两侧，再沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)，最后通过丝网印刷技术在两侧的顶层形成金属集电极，构成具有对称结构的HIT太阳电池。也可以用p型单晶硅为衬底，获得对应结构的异质结电池。
2019-10-21
2019-10-21
2019-10-21
2019-10-21
2019-10-21
2019-10-21
2019-10-21
2019-10-21
2019-10-21
2019-10-21
