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半导体材料的演进
发布时间:2024-10-27
集成电路主要分成硅基半导体与化合物半导体二大类,以硅材料为衬底材料的半导体归属为第一代半导体,以砷化镓材料为衬底的化合物半导体则属第二代,以氮化镓等材料为衬底的化合物半导体属第三代半导体。硅基半导体集成电路主要在数码运用,如微处理器、逻辑IC、存储器等;化合物半导体集成电路主要在模拟应用,如移动通讯、全球定位系统、卫星通讯、通讯基站、国防雷达、航天、军事武器等功率型、低噪声放大器等相关MMIC集成芯片。目前第二代半导体国产化处于早期阶段。第三代半导体主要是以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表,凭借其宽禁带、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点,在许多应用领域拥有前两代半导体材料无法比拟的优点,有望突破第一、二代半导体材料应用技术的发展瓶颈,市场应用潜力巨大。







