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长鑫存储与三星产品参数对比
发布时间：2024-10-27
2019年长鑫存储完成了首颗国产19nm工艺的DDR4、LPDDR4内存研发量产，成为了全球第四家DRAM产品采用20nm以下工艺的厂商，计划于2021年完成17nm的工艺研发，并展开DDR5 DRAM产品研发。在容量、速率、工艺尺寸方面不断向全球领先DRAM厂商(三星等)靠近，国产DRAM芯片技术水平不断提升。
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发布时间：2024-10-27
2019年长鑫存储完成了首颗国产19nm工艺的DDR4、LPDDR4内存研发量产，成为了全球第四家DRAM产品采用20nm以下工艺的厂商，计划于2021年完成17nm的工艺研发，并展开DDR5 DRAM产品研发。在容量、速率、工艺尺寸方面不断向全球领先DRAM厂商(三星等)靠近，国产DRAM芯片技术水平不断提升。
2021-09-17
2021-09-17
2021-09-17
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2019-01-24
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2019-01-24
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