-
中国功率半导体分立器件政策发展历程
发布时间：2025-08-15
功率半导体作为电力电子系统的核心器件，是国家发展新能源、智能制造、新一代信息技术等战略新兴产业的基础支撑。中国对其发展的政策支持力度持续加大，政策重心随产业发展阶段和外部环境变化而动态调整。“十二五”时期 (2011-2015年)：顶层设计奠基，政策集中引导。《国家集成电路产业发展推进纲要》这是该时期最具里程碑意义的政策文件。它首次将集成电路产业(包含功率半导体)提升到国家战略高度，明确了发展目标、重点任务和保障措施。这时期的政策特征是战略定位更明显，资本投入规模化，政策集中引导，重点聚焦于解决“有无”问题，支持龙头企业做大做强，推动产业链整体布局和完善。“十三五”时期 (2016-2020年)：技术攻坚深化，自主可控提速。《重点新材料首批次应用示范指导目录》： 将碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料纳入其中，鼓励其应用推广，为功率半导体技术升级换代提供了政策支持。《产业关键共性技术发展指南》： 多次将高性能绝缘栅双极型晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管等功率半导体器件及模块的设计、制造、封装技术列为关键共性技术，引导研发资源投入。政策重心从规模扩张转向核心技术突破，特别是高端工艺、特色工艺(如功率半导体所需的IGBT、MOSFET制造)和第三代半导体材料。“十四五”时期 (2021-2025年)：全面自主创新，应用驱动升级。将集成电路(含高端功率半导体)列为事关国家安全和发展全局的核心技术攻关的七大前沿领域之一，要求强化国家战略科技力量集中攻关。科技部重点研发计划： 在信息光子技术、新型显示与战略性电子材料等专项中，持续部署支持碳化硅、氮化镓等第三代半导体电力电子材料与器件的研发项目。工业和信息化部等部委关于推动能源电子产业发展的指导意见： 明确提出提升功率半导体器件供给能力，重点推动硅基功率器件、第三代半导体功率器件等在光伏、储能、新能源汽车等领域的创新应用。
