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    杭州士兰微电子股份有限公司IGBT芯片技术进展

    发布时间：2024-10-27

    士兰微自2009年研发出穿通型IGBT芯片以来，持续迭代IGBT芯片技术，目前已经迭代到场截止型第五代IGBT芯片。目前，公司所有量产的IGBT模块所配套的IGBT芯片均采用场截止技术，与英飞凌第四代芯片对标，性能指标上均与英飞凌第四代持平。公司最新一代的场截止5代芯片(Field-StopV)采用了精细沟槽技术，具有更窄的台面宽度，沟槽间距缩小到1.6微米，功率密度更高、芯片尺寸更小、厚度更薄(1200V截止电压的芯片厚度为110微米)，总体损耗相比上一代芯片明显降低。

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    相关报告：《2024-2029年中国IGBT芯片行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》

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