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发布时间：2024-10-27
细看HJT的工艺流程，首先，以N型单晶硅为衬底光吸收区，经过制绒清洗后，其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜和掺杂的P型非晶硅薄膜，并与硅衬底形成P-N异质结;硅片的背面又通过沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜和掺杂的N型非晶硅薄膜形成背表面场。在两侧沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)后，再通过丝网印刷在两侧顶层形成金属电极。异质结电池的关键技术在于超薄本征非晶硅层，该薄层将N型衬底与两侧的掺杂非晶硅层完全隔开，大幅度降低晶硅的表面复合，从而获得很高的开路电压。
2023-03-13
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