同规格碳化硅 - 前瞻产业研究院

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同规格碳化硅

发布时间：2024-10-28

碳化硅出现后，由于具备耐高压、耐高频的特性，因此仅用结构更简单的MOSFET器件就能覆盖现在IGBT耐压水平，同时规避硅基IGBT的缺点，耗能更少。数据统计显示，相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。

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