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氮化镓的特点
发布时间：2024-10-28
氮化镓(GaN)是一种宽禁带化合物半导体材料，其禁带宽度为3.4eV，与第一代、第二代半导体材料相比，它具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。
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发布时间：2024-10-28
氮化镓(GaN)是一种宽禁带化合物半导体材料，其禁带宽度为3.4eV，与第一代、第二代半导体材料相比，它具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。
2024-05-07
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2019-01-24
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