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中国GaN商业化进程
发布时间：2024-10-28
2022年，国内12英寸Si基GaN HEMT外延技术获得突破，苏州纳维、中镓半导体持续开展GaN衬底研发和产业化，8英寸Si基GaN产品实现量产，国产GaN射频产品加快向民用市场渗透。
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发布时间：2024-10-28
2022年，国内12英寸Si基GaN HEMT外延技术获得突破，苏州纳维、中镓半导体持续开展GaN衬底研发和产业化，8英寸Si基GaN产品实现量产，国产GaN射频产品加快向民用市场渗透。
2024-05-07
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2024-05-07
2024-05-07
2024-05-07
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2019-01-24
2019-01-24
2019-01-24
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