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碳化硅(SiC)的制造流程
发布时间:2024-10-28
关于Si衬底的外延方法,即使用化学气相沉积,获得SiC单晶体沉底或掺杂后的半导体结构。
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发布时间:2024-10-28
关于Si衬底的外延方法,即使用化学气相沉积,获得SiC单晶体沉底或掺杂后的半导体结构。
2024-05-15
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