-
无锡市第三代半导体产业重点政策解读
发布时间：2026-03-31
第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场强度高、抗辐射能力强等优点，一直被视为“后摩尔时代”实现芯片性能突破的关键技术之一。2024年2月，无锡出台《市政府关于加快培育发展未来产业的实施意见》，其中提到要创新一批第三代半导体高价值产品，打造面向全国、放眼全球的第三代半导体产业新高地。
搜索
发布时间：2026-03-31
第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场强度高、抗辐射能力强等优点，一直被视为“后摩尔时代”实现芯片性能突破的关键技术之一。2024年2月，无锡出台《市政府关于加快培育发展未来产业的实施意见》，其中提到要创新一批第三代半导体高价值产品，打造面向全国、放眼全球的第三代半导体产业新高地。
2026-03-31
2026-03-31
2026-03-31
2026-03-31
2026-03-31
2026-03-31
2026-03-31
2026-03-31
2026-03-31
2019-01-30