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截至2021年12月全球第三代半导体行业被引用次数TOP10专利

发布时间：2024-10-27

GaN场效应晶体管(专利号：WO2003071607A1)和一种增强型氮化镓HEMT器件结构(专利号：CN101312207A)是被引用次数最多的两大第三代半导体专利，两者被引用的次数均超过了90次。其他被引用次数前十大专利如下所示：

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