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三种半导体薄膜沉积工艺比较
发布时间：2024-10-27
薄膜沉积工艺主要有原子层沉积(ALD)、物理式真空镀膜(PVD)、化学式真空镀膜(CVD)等，其中ALD又是属于CVD的一种，是目前最先进的薄膜沉积技术。CVD，即使用金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等热分解，氢还原在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等材料;PVD是将原子从原料靶材上溅射出来，利用物理过程实现物质转移，沉积形成导电电路。
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发布时间：2024-10-27
薄膜沉积工艺主要有原子层沉积(ALD)、物理式真空镀膜(PVD)、化学式真空镀膜(CVD)等，其中ALD又是属于CVD的一种，是目前最先进的薄膜沉积技术。CVD，即使用金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等热分解，氢还原在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等材料;PVD是将原子从原料靶材上溅射出来，利用物理过程实现物质转移，沉积形成导电电路。
2020-09-07
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2019-01-24
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