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发布时间：2024-10-28
SiC即碳化硅，作为一种半导体材料，具有可耐高压、高温、高频的性质，在助力设备轻量小型化上具有较为明显的优势。SiC的禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射能力强等性质，且器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，开关损耗低，可以大幅提高开关频率。碳化硅材料的优越性能使得相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，导通电阻降低为1/200，尺寸减小为1/10;相同规格的使用MOSFET的逆变器与硅基IGBT相比，总能量损失小于1/4。
2024-02-06
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