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SiC MOSFET的发展趋势
发布时间：2024-10-28
当前，在650-3300V的电压范围内，SiC MOSFET已形成了较为成熟的技术，同时相关产品已逐步推出，目前，为提高半导体元器件的性能与可靠性，未来SiC MOSFET的发展方向主要聚焦于以下几个方面：
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发布时间：2024-10-28
当前，在650-3300V的电压范围内，SiC MOSFET已形成了较为成熟的技术，同时相关产品已逐步推出，目前，为提高半导体元器件的性能与可靠性，未来SiC MOSFET的发展方向主要聚焦于以下几个方面：
2024-02-06
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2019-01-15
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