SiC MOSFET的技术路线

功率SiCMOSFET主要有2种技术路线，根据栅极工艺分为平面型MOSFET(VDMOS)和沟槽型MOSFET(TMOS)，。多数产品均采用SiC VDMOS结构，其工艺简单、阻断能力强，然而导通电阻较大;SiC TMOS是目前的研究热点，其沟道迁移率高，但工艺较为复杂，受栅氧可靠性影响导致阻断能力较差。