搜索
发布时间：2024-11-20
混合键合(Hybrid Bonding)是一种先进的封装技术，它结合了两种不同的键合技术：介电键合和金属互连。这种技术采用介电材料(通常是氧化硅，SiO?)与嵌入式铜 (Cu) 焊盘结合，允许在硅晶片或芯片之间建立永久电连接，而无需焊料凸块，这种无凸块方法通过减少信号损耗和改善热管理来提高电气性能。考虑到高带宽存储需求持续增长对芯片堆叠层数及密度的提升，未来混合键合有望成为HBM主流堆叠技术。目前海力士正在加速开发新工艺“混合键合”，HBM的DRAM芯片之间通过“微凸块”材料进行连接，通过混合键合，芯片可以在没有凸块的情况下连接，从而显著减小芯片的厚度。
2024-11-20
2024-11-20
2024-11-20
2024-11-20
2019-01-30
2019-01-30
2019-01-22
2019-01-22
2019-01-22
2019-01-22
