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MR-MUF技术工艺流程
发布时间:2024-11-20
当前市场主流的HBM堆叠技术主要以MR-MUF工艺技术为主。MR-MUF技术主要通过回流焊将多个芯片粘合在一起,并在芯片之间使用液态EMC材料进行间隙填充。与传统TC-NCF工艺相比,MRMUF具有更高的导热效率,有助于改善HBM因为堆叠层数增加而导致的散热问题,以8Hi HBM为例,在2Gbps引脚速率的相同工作条件下,使用MR-MUF工艺的HBM产品相较TC-NCF工艺在最大结温方面降低了14℃。
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发布时间:2024-11-20
当前市场主流的HBM堆叠技术主要以MR-MUF工艺技术为主。MR-MUF技术主要通过回流焊将多个芯片粘合在一起,并在芯片之间使用液态EMC材料进行间隙填充。与传统TC-NCF工艺相比,MRMUF具有更高的导热效率,有助于改善HBM因为堆叠层数增加而导致的散热问题,以8Hi HBM为例,在2Gbps引脚速率的相同工作条件下,使用MR-MUF工艺的HBM产品相较TC-NCF工艺在最大结温方面降低了14℃。