应用TSV技术的芯片剖面图

TSV技术是一种通过在硅芯片内部钻孔形成垂直贯通的电极并将多个芯片垂直3D堆叠的封装方法。传统的引线键合技术随着堆叠层数和连接引脚的增加会使得布线变得愈发复杂，而TSV结合微凸点的封装技术可以在有限垂直空间内实现更大的芯片堆叠密度，促使信号传输路径明显缩短，因此可以同时达到提高带宽和降低功耗的作用。